Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD30N08S222ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD30N08S222ATMA1
IPD30N08S222ATMA1 Hakkında
IPD30N08S222ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmış olup, TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 21.5mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Geniş işletme sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 136W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Motor kontrol, anahtarlama kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok