Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD30N06S223ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD30N06S223ATMA2
IPD30N06S223ATMA2 Hakkında
IPD30N06S223ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 23mOhm on-dirençi ile verimli anahtarlama sağlar. Motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 100W güç disipasyonuna kadir olan güvenilir bir anahtarlama elemanıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 901 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok