Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD30N06S215ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD30N06S215
IPD30N06S215ATMA2 Hakkında
IPD30N06S215ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi işlevleri gerçekleştirir. 14.7mΩ on-state direnç değeri düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. TO-252 (DPak) yüzey monte paketiyle kompakt tasarımlara uygun olan bu bileşen, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve LED sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1485 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.7mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok