Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD30N03S4L14ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD30N03S4L14
IPD30N03S4L14ATMA1 Hakkında
IPD30N03S4L14ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 13.6mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, düşük kapı yükü (14nC @ 10V) ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve elektronik anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 980 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok