Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD30N03S4L09ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD30N03S4L09
IPD30N03S4L09ATMA1 Hakkında
IPD30N03S4L09ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı özelliğine sahip bu bileşen, TO-252-3 (DPak) paketinde sunulmaktadır. 9mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. ±16V gate-source gerilimi, 20nC gate yükü ve 1520pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1520 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok