Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD26N06S2L35ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD26N06S2L35
IPD26N06S2L35ATMA2 Hakkında
IPD26N06S2L35ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltaj ve 30A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde gelen bu komponent, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yer alır. 35mΩ maksimum on-direnci (10V gate voltajında 13A'de) ve düşük gate yükü (24nC) sayesinde verimli ve hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 621 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 26µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok