Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD26DP06NMSAUMA1
MOSFET P-CH 60V TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD26DP06
IPD26DP06NMSAUMA1 Hakkında
IPD26DP06NMSAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim derecelendirilmiş bu bileşen, TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. Metal oksit FET teknolojisine dayanan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Düşük güç tüketimi gerektiren aydınlatma, motor kontrol, batarya yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Surface mount montaj tipi, yoğun PCB tasarımlarına uygun kompakt çözüm sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok