Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD25N06S4L30ATMA2
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD25N06S4L30
IPD25N06S4L30ATMA2 Hakkında
IPD25N06S4L30ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 16.3nC gate charge ve 1220pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlamayı destekler. ±16V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli işletim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 8µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok