Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD25N06S4L30ATMA1
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD25N06S4L30
IPD25N06S4L30ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD25N06S4L30ATMA1, 60V Drain-Source voltaj kapasitesi ve 25A sürekli drenaj akımı ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) kılıfına sahip bu devre elemanı, 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen; anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. 16.3nC gate charge ve 1220pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiş tasarımını gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 8µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok