Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPD25N06S240ATMA2

MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPD25N06S240ATMA2

IPD25N06S240ATMA2 Hakkında

IPD25N06S240ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi (Vdss) ve 29A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 40mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 18nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket, yoğun PCB tasarımlarında yer tasarrufu sunar. Motor kontrolleri, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 513 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 26µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok