Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPD25N06S240ATMA1

MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPD25N06S240ATMA1

IPD25N06S240ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPD25N06S240ATMA1, 55V drain-source voltaj aralığında çalışan bir N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 29A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 40mΩ (10V, 13A'de) on-resistance değerine sahiptir. 18nC gate charge ve 513pF input capacitance ile hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 68W güç tüketebilir. Güç kaynağı yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 513 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 26µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok