Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD25DP06LMATMA1
IPD06P005 - TRENCH 40<-<100V
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD25DP06LMATMA1
IPD25DP06LMATMA1 Hakkında
IPD25DP06LMATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Trench teknolojisi ile yapılandırılmış bu bileşen, 250mOhm maksimum on-state direncine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge değeri (13.8nC) hızlı anahtarlama işlemleri için avantajlı özelliktedir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlamalaı güç kaynakları ve motor kontrol devreleri gibi alanlarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok