Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD25DP06LMATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD25DP06LMATMA1
IPD25DP06LMATMA1 Hakkında
IPD25DP06LMATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj dayanımı ve 6.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 250mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. 13.8nC gate charge ve 420pF input capacitance ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok