Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD25CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD25CNE8N
IPD25CNE8N G Hakkında
IPD25CNE8N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 85V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında, 71W maksimum güç tüketim kapasitesiyle güç dönüşüm, motor kontrol, anahtarlama ve yük yönetimi uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş gerilimi ile hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük gate charge (31nC) sayesinde yüksek frekanslı devreler için uygundur. Bileşen halihazırda üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 85 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2070 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 39µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok