Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPD230N06LG

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPD230N06LG

IPD230N06LG Hakkında

IPD230N06LG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 60V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 23mOhm (10V, 30A'de) düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-252 (DPak) Surface Mount paketinde sunulur. Gate charge 42nC ve input capacitance 1500pF olup hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve load switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 2V threshold gerilimi ile lojik seviyesi uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 49µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok