Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD20N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD20N03L
IPD20N03L G Hakkında
IPD20N03L G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlı regülatörler ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir. Maksimum 42W güç tüketimi kapasitesi ile entegre ve diskrit devre tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 695 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok