Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD19DP10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD19DP10N
IPD19DP10NMATMA1 Hakkında
IPD19DP10NMATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, Trench teknolojisine dayalı olarak tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan transistör, 2.6A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 13.7A (Tc) kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük 186mΩ (10V, 12A) on-direnç değeri ve 45nC gate yükü ile güç dönüştürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlı güç kaynakları tasarımında tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, 83W (Tc) maksimum güç tüketim kapasitesi sayesinde endüstriyel uygulamalarda güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta), 13.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 186mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.04mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok