Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD180N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD180N10N3G
IPD180N10N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD180N10N3GATMA1, N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 43A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 18mΩ (10V, 33A'de) RDS(on) değeri düşük kayıp işlemi sağlar. TO-252 (DPak) paketinde temin edilen bu komponentin gate charge değeri 25nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +175°C arasında çalışır. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok