Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD170N04NGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD170N04NGBTMA1
IPD170N04NGBTMA1 Hakkında
IPD170N04NGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı (Vdss) ve 30A sürekli drain akımı ile çalışır. TO-252-3 (DPak) paket tipinde sunulur. 17mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kanal direnci sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, switching uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 11nC gate charge ve 880pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok