Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD15N06S2L64ATMA2
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD15N06S2L64
IPD15N06S2L64ATMA2 Hakkında
IPD15N06S2L64ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V Drain-Source gerilim dayanımı ve 19A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 64mΩ on-dirençli tasarımı (10V gate geriliminde) düşük güç kaybı sağlar. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 47W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 354 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 14µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok