Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD15N06S2L64ATMA1
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD15N06S2L64
IPD15N06S2L64ATMA1 Hakkında
IPD15N06S2L64ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V Vdss derecesi ile çıkış anahtarlaması, güç dönüştürme ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 19A sürekli drenaj akımı ve 64mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-252 DPak paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışır. LED sürücüleri, DC-DC konvertörleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum ±20V gate voltajı ve 13nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 354 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 14µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok