Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD14N06S280ATMA2
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD14N06S280ATMA2
IPD14N06S280ATMA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD14N06S280ATMA2, 55V drain-source voltajı ve 17A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate drive voltajında 80mOhm maksimum on-direnç değerine sahiptir. Düşük gate charge (10nC) ve kompakt giriş kapasitesi özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında hızlı ve verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında 47W maksimum güç dağıtabilir. Motorlar, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devreleri gibi düşük-orta güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 293 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 14µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok