Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD14N06S280ATMA1
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD14N06S280ATMA1
IPD14N06S280ATMA1 Hakkında
IPD14N06S280ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) kılıfında sunulan bu transistör, düşük on-state direnci (80mOhm @ 7A, 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC konvertörler ve benzer yüksek akım anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 47W maksimum güç dağılımı özelliğine sahiptir. Düşük gate charge (10nC @ 10V) ile hızlı anahtarlamayı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 293 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 14µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok