Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD135N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD135N08N3G
IPD135N08N3GATMA1 Hakkında
IPD135N08N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 45A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO252-3 (DPak) yüzey montajlı pakete sahip olan bu bileşen, 13.5mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışan transistör, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüler, anahtarlama devreler ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. 79W maksimum güç yayılımı kapasitesi ve hızlı anahtarlama karakteristiği sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1730 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok