Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD135N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD135N03LG
IPD135N03LGATMA1 Hakkında
IPD135N03LGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 13.5mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey monte paketinde sunulur. -55°C ile +175°C arasında çalışır ve 31W güç dissipasyonu gerçekleştirebilir. 10nC gate charge ve 1000pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama operasyonlarına uygun tasarlanmıştır. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok