Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD12CNE8N
IPD12CNE8N G Hakkında
IPD12CNE8N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 85V drain-source gerilimi ve 67A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 12.4mΩ on-state resistance (Rds On) ile düşük ısı kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, SMPS (Switched Mode Power Supply), motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 125W güç dağıtabilir. 64nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 67A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 85 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4340 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 67A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok