Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD11DP10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD11DP10N
IPD11DP10NMATMA1 Hakkında
IPD11DP10NMATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj sınırlaması ile tasarlanan bu komponent, Trench teknolojisi kullanarak düşük on-resistance (111mOhm @ 18A, 10V) sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan komponent, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve gerilim regülatör tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 125W güç (Tc) yönetebilen bu transistör, 3.4A sürekli drenaj akımı ve 22A (Tc) kapasitesi ile orta güç uygulamaları için uygundur. Düşük gate charge (74nC @ 10V) hızlı anahtarlama işlemlerini kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta), 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 111mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok