Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD110N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD110N12N3G
IPD110N12N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD110N12N3GATMA1, 120V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 11mOhm maksimum on-state direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. 10V gate sürme gerilimi ile çalışan bu bileşen, güç uygulamaları, motor kontrolü ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, 136W güç tüketebilme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4310 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 83µA (Typ) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok