Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD105N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD105N03LG
IPD105N03LGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD105N03LGATMA1, N-kanal MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim kapasitesine sahip olan bu bileşen, sürekli 35A drain akımı sağlayabilir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan transistör, düşük on-dirençi (Rds On) değeri ile 10mOhm'un altında performans gösterir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil çalışır. Gate charge karakteristiği 14nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Bileşen obsolete (üretime alınmayan) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok