Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD100N06S403ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD100N06S403
IPD100N06S403ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD100N06S403ATMA1, 60V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistörüdür. 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 3.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate-source gerilimi toleransı ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur. Maksimum 150W güç harcaması, uygun soğutma koşullarında yüksek akım anahtarlaması gerektiren uygulamalara destek sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 128 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok