Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD100N04S402A
IPD100N04S402ATMA1 Hakkında
IPD100N04S402ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel power MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilim ve 100A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmış olup, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük sıcaklık katsayısında çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bu bileşen, güç dönüştürme devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 150W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımda yüksek akım işleme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 95µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok