Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD09N03LA
IPD09N03LA G Hakkında
IPD09N03LA G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulur. 8.6mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 13nC @ 5V olup hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç anahtarlaması ve yüksek frekanslı uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1642 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok