Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD096N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD096N08N3
IPD096N08N3GBTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD096N08N3GBTMA1, 80V drain-source gerilimi ve 73A sürekli drenaj akımı ile çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 9.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 35nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve anahtarlamalı güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. Maximum 100W güç dağıtabilmesi ile endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 73A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 46A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok