Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD096N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD096N08N3G
IPD096N08N3GATMA1 Hakkında
IPD096N08N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 80V drain-source gerilimi ve 73A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, düşük 9.6mΩ RDS(on) değeriyle enerji kaybını minimize eder. Motor kontrol, güç kaynakları, şarj devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C~175°C) ve 100W güç kaybı yeteneği, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 73A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 46A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok