Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD090N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD090N03LG
IPD090N03LGATMA1 Hakkında
IPD090N03LGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 40A sürekli akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 9mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 42W güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniksi uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında çalıştırılır ve 2.2V eşik voltajına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok