Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD088N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD088N04L
IPD088N04LGBTMA1 Hakkında
IPD088N04LGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında anahtarlama görevi yapan yarı iletken elemanıdır. TO-252 (DPak) paketlemesi ile yüzeye monte edilebilir. 8.8mOhm on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığında 47W güç saçılması kapasitesine sahiptir. Hızlı anahtarlama ve düşük kapasitans özellikleri ile verimli devre tasarımına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 16µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok