Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD082N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD082N10N3
IPD082N10N3GBTMA1 Hakkında
IPD082N10N3GBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (8.2mΩ @ 10V) ile enerji verimliliği sağlar. Motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve güç dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Maksimum 125W güç yayınlayabilir ve ±20V gate voltajına dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 73A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok