Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD075N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD075N03L
IPD075N03LGBTMA1 Hakkında
IPD075N03LGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj desteği ile 50A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi içerisinde sunulmaktadır. 7.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 47W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygun bir çözümdür. MOSFET teknolojisi ile hızlı anahtarlama ve düşük kapı yükü (18nC) karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok