Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD06P007NATMA1
MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD06P007NA
IPD06P007NATMA1 Hakkında
IPD06P007NATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 4.3A sürekli drain akımı ile çalışır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 400mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 19W güç dissipasyonu kaldırır. Gate charge 6.7nC ve input capacitance 260pF olarak belirtilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur. Bileşen üretim sonu (obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 166µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok