Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD06P005NATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD06P005NATMA1
IPD06P005NATMA1 Hakkında
IPD06P005NATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. Maksimum 250mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan komponent, gücü kontrol gerektiren motor sürücüler, LED dimmer devreleri, güç kaynağı uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu MOSFET, 28W maksimum güç yayınlayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok