Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPD06P005LSAUMA1

MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPD06P005L

IPD06P005LSAUMA1 Hakkında

IPD06P005LSAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim yeteneği ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6.5A sürekli dren akımı ve 250mOhm (10V, 6.5A'da) on-direnç ile düşük kayıp anahtarlama sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımını destekler. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, hızlı anahtarlama ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. 13.8nC kapı yükü ile hızlı sürülme özelliği vardır. Üretici tarafından discontinued (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-313
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 270µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok