Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD06P004NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD06P004NS
IPD06P004NSAUMA1 Hakkında
IPD06P004NSAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 16.4A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 90mΩ on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreler, motor sürücüsü ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 16.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 710µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok