Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD06P004NATMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD06P004NA
IPD06P004NATMA1 Hakkında
IPD06P004NATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 16.4A sürekli drenaj akımı sağlar. TO-252-3 (DPak) paket içerisinde sunulan bu bileşen, 90mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılmaya elverişlidir. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 63W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Infineon tarafından üretimi durdurulmuş olup, stok tükenene kadar temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 16.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 710µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok