Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD06P003NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD06P003
IPD06P003NSAUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD06P003NSAUMA1, 60V dren-kaynak gerilimi ve 22A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bir P-Channel MOSFET'tir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 65mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklığı aralığında ve 83W maksimum güç dağılımı ile endüstriyel uygulamalarda, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve DC/DC dönüştürücülerinde kullanılır. 39nC gate charge ve 1600pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.04mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok