Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD06N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD06N03LB
IPD06N03LB G Hakkında
IPD06N03LB G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 50A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük on-resistance (6.1mOhm @ 50A, 10V) özellikleriyle güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan IPD06N03LB, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığı sayesinde geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar. Maksimum 83W güç tüketimi kapasitesi bulunan bu MOSFET, yüksek akım yönetimi gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında tercih edilen bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok