Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPD06N03LAG

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPD06N03LAG

IPD06N03LAG Hakkında

IPD06N03LAG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 25V drain-source voltaj desteği ile 50A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 5.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan IPD06N03LAG, -55°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 83W güç dağıtabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2653 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 40µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok