Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD068P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD068P03L3
IPD068P03L3GBTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD068P03L3GBTMA1, 30V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bir P-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (6.8mΩ @ 70A, 10V) özelliği ile güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) stabil performans sağlayan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve ters kutupluluk koruması gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. 100W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında yer alan devreler için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7720 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok