Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD068P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD068P03L3GATMA1
IPD068P03L3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD068P03L3GATMA1, P-Channel MOSFET transistörlerin tekil versiyonudur. 30V drain-source gerilim, 70A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç kontrol uygulamalarında kullanılır. TO252-3 (DPak) paket tipinde sunulan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (6.8mOhm @ 70A, 10V) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Motor sürücüleri, enerji yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, özellikle endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7720 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok