Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD068N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD068N10N3
IPD068N10N3GATMA1 Hakkında
IPD068N10N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel power MOSFET'tir. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 90A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 6.8mΩ düşük on-direnç değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. Switching power supplies, motor kontrol devreleri, LED driver uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4910 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok