Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPD05N03LA G

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPD05N03LA

IPD05N03LA G Hakkında

IPD05N03LA G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source geriliminde 50A sürekli drenaj akımı sağlama kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (5.1mΩ @ 30A, 10V) ile verimli güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 94W maksimum güç dağıtabilir. Motor kontrol devreleri, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. 4.5V/10V drive voltajı ile standart lojik seviyeleriyle uyumludur. Bileşen şu anda üretimi sonlandırılmış durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3110 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok